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碳化硅机器
碳化硅机器
2020-05-31T08:05:57+00:00
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 国产厂商齐发力切磨抛设备 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份 2023年6月15日 碳化硅减薄机是一款用于碳化硅晶锭、衬底片或芯片背面进行减薄的设备。 “碳化硅是一种非常硬的材料，因此其减薄厚度的准确测量与控制非常难把握，对于减薄机的磨削精度要求非常高。 ”北京中电科相关 又一半导体设备实现国产出货！碳化硅未来需求带来设
提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
6 天之前 博世碳化硅晶圆 作为全球领先的技术和服务供应商，博世于两年前宣布将继续推进碳化硅芯片研发并实现量产。 为实现这一目标，博世自主开发了极为复杂的制造工艺流 2023年2月26日 年碳化硅器件市场 CAGR=34% 3 图 2: 相同里程 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓 SiC: 以碳化硅打造更可持续的未来。 历经多年的研发积累，意法半导体于2004年推出了款碳化硅二极管。 SiC MOSFET问世于2009年，并于2014年开始量产。 如今，意法半 碳化硅 意法半导体STMicroelectronics
碳化硅 (SiC)：历史与应用 DigiKey
2016年12月14日 碳化硅 (SiC)：历史与应用 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC)，俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题 知乎
2023年5月3日 碳化硅陶瓷加工的主要问题碳化硅陶瓷加工虽然有许多方法，但加工成本高，加工效率低，加工精度差。 其主要原因之一是陶瓷的硬度非常高。 对于碳化硅陶瓷未烧体或焙烧体主要用切削加工进行粗加工， 2023年3月31日 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 在新能源汽车、光伏发电、轨道 【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用领域
又一半导体设备实现国产出货！碳化硅未来需求带来设备放量
2023年6月15日 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其他各工艺环节设备国产化率在0％20％之间。2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 2022年7月25日 ST： 据玖越机器人了解，在yole的数据中，去年全球碳化硅功率器件市场份额最高的厂商就是ST。 同时凭借与特斯拉的合作，ST的SiC MOSFET产品也是最早在电动汽车上被大规模应用的，自Model3车型开始，特斯拉就一直大规模采用ST供应的TPAK碳化 【玖越机器人】国内外SiC MOSFET厂商现状对比，产品
碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。2020年1月14日 宽禁带碳化硅 (SiC)单晶衬底及器件研究进展 梁上尘 梁上尘土 固体材料按照其导电特性可以分为导体、半导体和绝缘体三大类，既可以通过电子的填充能带理解，也可以通过材料的电阻率特性来区分。 从代的硅、锗材料发展到第二代的砷化镓和磷化铟等 宽禁带碳化硅(SiC)单晶衬底及器件研究进展 知乎
碳化硅功率模块封装技术综述 知乎
2022年7月22日 碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术，面临着高频寄生参数大、散 2022年3月9日 第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代 表的宽禁带半导体材料，多在通信、新能源汽车、高铁、卫星通信、航空航天等场景中应用，其中碳 第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇） 知乎
面向SiC功率器件的离子注入工艺介绍 知乎
2023年6月11日 离子注入、CarbonCap、退火工艺，爱发科可以提供全面工艺解决方案。 赞同 1 分享 提供高能量注入、高温和低温的分步注入工艺。 此外，还可以提供CarbonCap技术，以防止在活化退火过程中由 2020年10月21日 有多难做？ 根据东方卫视报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管） 晶圆 于 10 月 16 日在上海正式发布。 从终端应用层上来看在碳化硅材料在高铁、汽车电子、智能电网、光 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
6 天之前 在未来，博世作为唯一一家自主生产碳化硅芯片的汽车零部件供应商，计划使用200毫米晶圆制造碳化硅半导体。相比于如今使用的150毫米晶圆，使用200毫米晶圆能够带来可观的规模效益。毕竟，单个晶圆需花费数月时间才能在无数机器设备中完成上百个工艺2023年10月27日 二、行业现状及市场空间 1、全球碳化硅器件市场格局由海外巨头主导 海外企业由于占据先发优势，在技术进展与产能规模上具备一定垄断地位。根据数据，市场份额由海外巨头意法半导体、Wolfspeed、罗姆、英飞凌、三菱电机、安森美等厂商垄断，其中较大的碳化硅器件商为意法半导体，是特斯拉 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 1、长晶 长晶环节中，和单晶硅使用的提拉法工艺制备不同，碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良的Lely法或籽晶升华法），高温化学气相沉积法（HTCVD）作为补充。 核心步骤大致分为： 碳化硅固体原料； 加热后碳化硅固体变成气 2022年12月3日 据IHS数据，SiC市场总量在2025年有望达到30亿美元。 随着新能源车的发展，SiC器件性能上的优势将推进碳化硅器件市场规模的扩张，也将促使更多的功率半导体企业将目光聚焦在SiC器件上。 当前我国也正在推进5G、数据中心、新能源汽车、 充电桩 等多 大家对碳化硅器件的前景如何看？ 知乎
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国
2023年5月21日 然而碳化硅材料特性需要开发特定的工艺，其参数必须优化和调整，在设备方面只需做微小的改动或定制功能开发。 清洗设备 清洗工艺是半导体制程的重要环节，也是影响半导体器件良率的重要因素，目前国际上以东京电子和迪恩士（DNS）为代表的清洗设备厂商可以稳定PRE（去除颗粒效果）做到45 2022年8月29日 碳化硅为什么会进入高速发展阶段？ 人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各 关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅
碳化硅 (SiC)：历史与应用 DigiKey
2016年12月14日 碳化硅 (SiC)：历史与应用 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC)，俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮 2023年11月25日 南极熊导读：一般的3D打印技术工艺，都无法打印碳化硅陶瓷材料。碳化硅陶瓷具有强度高、硬度高、化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点。碳化硅作为特种陶瓷中的结构陶瓷类别，被广泛应用于各种先进制造领域。 碳化硅陶瓷应用领域反应烧结碳化硅制造相形见绌反应 升华三维：粉末挤出3D打印推动反应烧结碳化硅应用增长极
SiC新技术：成本降70%，工时降低90%第三代半导体风向
2023年5月30日 加入碳化硅大佬群，请加VX：hangjiashuo666 该设备有多个优势： 首先，由于内置X射线衍射（XRD）机，该公司新的BoulePro200AX设备具有精确的准确性，由于各种参数控制得非常严格，该机器的晶向角度校正比目前的手工设备要精确100倍，因此 2023年7月17日 以下是一些常用的碳化硅切割方法： 金刚石线锯切割（Diamond Wire Sawing）：金刚石线锯是一种常见的切割工具，可以用于切割碳化硅晶片。 金刚石线锯的金刚石颗粒能够在碳化硅的硬表面上进行切割。 在切割过程中，晶片通过涂抹磨料的金刚石线锯传送，磨料 碳化硅用什么切割百度知道
给碳化硅“看病”！浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面
2022年5月28日 研究人员表示，他们的系列研究都与碳化硅中缺陷的精准定位和改良钝化息息相关，形象地说就是在给碳化硅“看病”。 目前，研究团队主要聚集碳化硅中的两种微观缺陷：一种是线缺陷，一种是点缺陷。 线缺陷的集中表现形式是材料内部原子错排形成的二维 2022年4月22日 碳化硅SiC应用上世纪五十年代以来，以硅（Si）为代表的代半导体材料取代笨重的电子管，引发了集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低，Si在光电子领域和案例分享第四期：碳化硅SiC切割 知乎
第三代半导体行业深度：竞争格局及市场展望、产业链及相关
2023年1月6日 碳化硅衬底为碳化硅产业链核心环节，据 Yole 数据，2020 年半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底市场规模分别达 182 亿、276 亿美元。 其中，1）Wolfspeed、ⅡⅥ、山东天岳三家寡头垄断半绝缘型碳化硅衬底市场，2020 年合计市场份额达 98%，市 2018年8月21日 目前，陶瓷注射成型技术开始向精密化发展，研究与开发的重点由过去的高温非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)扩展为氧化物陶瓷(如氧化锆、氧化铝)、功能陶瓷、生物陶瓷产品，种类越来越多，其主要应用领域如下。 21 光通讯用精密陶瓷部件清华教授讲述：陶瓷粉末注射成型技术与产业化应用零部件
碳化硅：未来510年不会过剩亿欧
2022年12月27日 碳化硅：未来510年不会过剩 根据Wolfspeed预计，2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元，2026年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。 碳化硅：第三代半导体突破性材料。 SiC是第三代半导体材料，其具备极好的耐压性、导热性和耐热性，是制造功率器件 2023年3月26日 而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。 为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托国家及省市科技项目，持之以恒开展碳化硅高端装备设计及晶体材料研究。打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品
碳化硅（SiC）纵览—第 1 期：SiC 成本竞争力和降低成本的
2022年10月3日 碳化硅 (SiC) 行业正在迅速发展，以提供高效、高功率、快速开关和紧凑型电力电子解决方案。在 600V 至 1700V 的商业化 SiC 器件的狭窄但有利可图的电压窗口内，通过选择传统 Si 产品的宽带隙半导体替代品所提供的系统级增益已得到广泛认可。2023年3月26日 碳化硅陶瓷 碳化硅陶瓷的热传导能力仅次于氧化陶瓷。利用这一特性，可作为优良的热交换器材料。太阳能发电设备中被阳光聚焦加热的热交换露，其工作温度高达1000 ~1100，具有高热传导性的碳化硅陶瓷很适合做这种热交换器的材料，从试验情况来看，碳化硅陶瓷热交换器的工作状态良好。碳化硅陶瓷的应用及加工 知乎
常压烧结碳化硅技术产业化青岛科技大学淄博研究院 QUST
2021年1月14日 （4） 碳化硅注射成型技术的研发：对中小型、精密复杂器件的加工具有独特的优势。同时，该技术的研发也可用于各种碳化硅管材的研究。 （ 5 ）碳化硅复合材料的研发：碳化硅+石墨自润滑材料、碳化硅+石墨多孔材料、碳化硅多空材料等的研发。 二、经济2020年12月25日 01、碳化硅功率器件制备及产业链 SiC功率器件的制备过程，包含SiC粉末合成、单晶生长、晶片切磨抛、外延（镀膜）、前道工艺（芯片制备）、后道封装。 图：SiC功率半导体制备工艺 目前，SiC衬底主要制备过程大致分为两步：步SiC粉料在单 国内碳化硅产业链！电子工程专辑
A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技 知乎
2021年1月12日 A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技 在古代 “高中状元” —— 俗称独占鳌头 以前唐宋时期，皇宫正中的大石阶梯上雕刻大鳌，只有高中状元的人在朝见皇帝时才可以踏在鳌的头上。 以前，掌握了石油就掌握了世界经济命脉，未来，掌握了科技 2023年3月27日 最近的研究表明，碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠 碳化硅： 电力电子的未来 知乎
什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ 知乎
2023年9月12日 碳化硅是如何制造的？ 最简单的碳化硅制造方法包括在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。 颜色更深、更常见的碳化硅通常含有铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。 加热后，这些晶体会在较低温 2023年2月17日 碳化硅芯片主要应用于电力电子领域，在集成电路发展中发挥重要作用。目前，产业基础研究院已经拥有4英寸、6英寸碳化硅电力电子器件的稳定规模生产能力。第三代薄片工艺碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET产品指标，可对标国际一线厂家最新一代产品。聚力攻关 突破碳化硅芯片技术重重关 实干开新局澎湃号
碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口
2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。 说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年 2022年12月16日 显而易见，碳化硅取代硅基是大势所趋。 国玉科技碳化硅晶圆切割划片设备 碳化硅切割 ，也称划片，是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序，即通过切割技术将做好芯片的整片碳化硅晶圆进行分割，从而形成独立的单颗晶片，为后续工序做准备。 碳化 碳化硅切割工艺流程介绍 知乎
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
2021年12月16日 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优 2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题 知乎
2023年5月3日 碳化硅陶瓷加工的主要问题碳化硅陶瓷加工虽然有许多方法，但加工成本高，加工效率低，加工精度差。 其主要原因之一是陶瓷的硬度非常高。 对于碳化硅陶瓷未烧体或焙烧体主要用切削加工进行粗加工， 2023年3月31日 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 在新能源汽车、光伏发电、轨道 【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用领域
又一半导体设备实现国产出货！碳化硅未来需求带来设备放量
2023年6月15日 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用设备，部分需要在硅设备基础上加以改进。根据我们梳理，目前长晶设备已基本实现国产化，其他各工艺环节设备国产化率在0％20％之间。2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 2022年7月25日 ST： 据玖越机器人了解，在yole的数据中，去年全球碳化硅功率器件市场份额最高的厂商就是ST。 同时凭借与特斯拉的合作，ST的SiC MOSFET产品也是最早在电动汽车上被大规模应用的，自Model3车型开始，特斯拉就一直大规模采用ST供应的TPAK碳化 【玖越机器人】国内外SiC MOSFET厂商现状对比，产品
碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。2020年1月14日 宽禁带碳化硅 (SiC)单晶衬底及器件研究进展 梁上尘 梁上尘土 固体材料按照其导电特性可以分为导体、半导体和绝缘体三大类，既可以通过电子的填充能带理解，也可以通过材料的电阻率特性来区分。 从代的硅、锗材料发展到第二代的砷化镓和磷化铟等 宽禁带碳化硅(SiC)单晶衬底及器件研究进展 知乎
碳化硅功率模块封装技术综述 知乎
2022年7月22日 碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。 但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 IGBT 模块的封装技术，面临着高频寄生参数大、散