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碳化硅生产技术的先进性
碳化硅生产技术的先进性
2022-10-07T01:10:26+00:00
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
2023年4月26日 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体器件和集成电路 2022年1月19日 碳化硅是功率器件材料端的技术演进 随着终端应用电子架构复杂程度提升， 硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求，具备热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高 一文看懂碳化硅行业 知乎
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 腾讯网
未来智库 10:10:59 发布于 安徽 财经领域创作者 + 关注 （报告出品方/作者：浙商证券，施毅） 1、耐高温高压高频，碳化硅电气性能优异 碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热 2021 07/21 08:57:31 来源：科技日报 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 字体： 小 中 大 分享到： 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 装技术以及先进的散热技术在提升功率密度等方 面也起着关键作用[5]。 本文重点就低杂散电感封装、高温封装以及多 功能集成封装3 个关键技术方向对现有碳化 2023年3月24日 作为我国光通信器件电子陶瓷 外壳产品领域的开创者，公司打破了国外行业巨头的技术封锁与产品垄断，实现国 产替代，成为国内规模较大的高端电子陶瓷外壳生产企业。 公司主营产品为电子陶瓷系列产 中瓷电子研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高
英飞凌携手盛弘电气拓展储能市场，共同推进绿色能源发展
1 天前 凭借在碳化硅领域超过20年的产品研发和应用经验，英飞凌持续精进碳化硅产品的先进性。 其中，1200V CoolSiC MOSFET凭借其高功率密度的优越性能，可将损耗降 2019年8月9日 2017年全球功率半导体器件市场结构 资料来源：Yole、IHS、Gartner 为了满足越来越高的指标要求，功率半导体器件不断地进行着技术的演进，除了更改器件结构、缩短线宽制程、加大集成调整，采用 SiC碳化硅：功率半导体器件行业新战场 知乎
外资大扩本土“朋友圈”，碳化硅长约签不停 腾讯网
2023年6月27日 湖南三安董事长林志东就认为，国际巨头在前沿碳化硅领域不断拓展中国供应链“朋友圈”，这与消费电子厂商纳入“苹果产业链”体系有异曲同工之处。 “在碳化硅半导体产业发展中，国际巨头与国内企业合作 2023年4月26日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。2023年3月24日 中瓷电子研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高成长赛道 1 中瓷电子：国内高端电子陶瓷领先者 11 国内电子陶瓷外壳领先者，背靠重点十三所技术优势显著 公司成立于 2009 年，主营业务是电子陶瓷系列产品的研发、生产和销售。 2010 年， 公司 中瓷电子研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高成长赛道
SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇
2023年9月15日 碳化硅器件产业链主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节。从工艺流程上看，首先由碳化硅粉末通过长晶形成晶碇，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底；衬底经过外延生长得到外延片；外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。2020年2月5日 据悉，该实验室根据产品市场前景、技术的先进性与成熟性选择了升华法和高温化学气相沉积法两种长晶技术作为研发方向，快速掌握了高品质、大规格碳化硅长晶工艺技术及其装备。 在刚刚过去的2019年，中科钢研第三代半导体布局也取得一些进展。抢占第三代半导体风口，中科钢研加速碳化硅布局技术
晶升股份研究报告：碳化硅和半导体级单晶炉领先者 知乎
2023年5月19日 14、IPO募投加码研发和扩产，应对国内半导体产业蓬勃发展 IPO 募投项目大幅增加产能，为后续业绩增长奠定基础。随着我国半导体产业的快速 发展，为满足下游客户及终端市场对公司技术及产能不断提出的更高要求，结合自身的未 来发展规划，公司拟募集 476 亿用于建设集经营办公和新产品技术 2023年11月14日 三、先进陶瓷材料的介绍 1、碳化硅 碳化硅陶瓷（厂家 致好精密陶瓷） 碳化硅（SiC）是我国最早开发的先进陶瓷材料之一。它极其坚硬，具有高导热性和低热膨胀性。SiC自20世纪60年代起在中国开始大规模生产。主要创新包括大型合成碳化硅晶体 我国先进陶瓷材料的介绍与发展 知乎
三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 2020年11月8日 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电 碳化硅为什么是第三代半导体最重要的材料？ 知乎
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE
2020年10月15日 装技术以及先进的散热技术在提升功率密度等方 面也起着关键作用[5]。 本文重点就低杂散电感封装、高温封装以及多 功能集成封装3 个关键技术方向对现有碳化硅功率 器件的封装进行梳理和总结，并分析和展望所面临 的挑战和机遇。 1 低杂散电感封装技术2023年10月11日 不过，露笑科技在布局蓝宝石业务期间，据说积累了一定的长晶炉设备生产经验。凭着这所谓的技术积累，2020年，露笑科技碳化硅衬底业务横空出世。笔者捋了一下露笑科技碳化硅项目的发展时间线： 2020年11月，碳化硅项目公司破土开工建设；那些高举“第三代半导体”旗号的公司，后来都怎样了？ 知乎
让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况怎么样
2020年11月25日 功率半导体器件生产经历了晶闸管、IGBT和碳化硅（SiC）三代技术，碳化硅（SiC）是目前最先进的技术，将在未来5年内成为行业主流。 SiC是碳化硅的简称，是第三代半导体材料，具有显著优势，与被称为电动汽车CPU的IGBT一样，被广泛应用于家用电器、电动汽车、高铁及城轨交通、航天航空等领域。2023年12月24日 产商，同时也是国内少数获得汽车质量认证（IATF 16949）的碳化硅外延生产商之一。公司紧跟国家第三代半导体行业的战略布局、瞄准行业前沿领域，已经实现了国产8 英寸碳化硅外延片技术的 突破并已经获得了客户的正式订单，极大地推动了我国 中国国际金融股份有限公司 关于瀚天天成电子科技（厦门
河南省力量钻石股份有限公司 巨潮资讯网
2022年3月26日 大腔体设备占比较高，处于行业领先水平，公司在合成设备先进性和生产效率方 面具备较大优势。为强化和保持该竞争优势，公司将继续引入新型锻造大腔体六 面顶压机，加强大腔体合成系列技术研发，改进生产工艺中压力及温度控制精度，2023年6月20日 我和我的工厂｜从一个“炉” 到一条“链” 12:30 发布于：山西省 新材料产业是浙江省重点培育发展的战略性新兴产业和七大万亿产业之一，近年来，全球供应链安全面临挑战，一些高端新材料被“卡了脖子”，半导体材料就是其中之一。 中国是全球 我和我的工厂｜从一个“炉” 到一条“链”半导体制造技术
碳化硅(sic)半导体材料生产建设项目可行性研究报告
2021年4月3日 本次项目建设将大力引进国内外最先进的生产设备，建设设施完善的现代化车间，通过先进的碳化硅 (sic)半导体材料加工技术和装备，促进我国碳化硅 (sic)半导体材料工业在新时期继续快速健康发展，有利于将资源优势转变为经济优势，是加快我国经济繁荣发 2022年4月15日 碳化硅自主可控又进一步？ 几天前，“三代半风向”曾介绍了碳化硅热场材料国产化情况（点这里）；与此同时，碳化硅外延设备的国产化进程也在加快。 昨天，季华实验室也传来利好消息，他们的碳化硅外延设备国产化率高达85%。 此外，北方华创和纳设 国产化率85%！碳化硅自主可控又进一步？电子工程专辑
「中国IC风云榜候选企业133」芯聚能：SiCMOSFET模块
2022年12月2日 本期候选机构：广东芯聚能半导体有限公司 【参选奖项】中国IC风云榜年度智能汽车技术突破奖、年度市场突破奖 集微网消息，全球范围内电动汽车的渗透率远超预期，也逐渐步入追求车辆整体效率的发展阶段，这也进而驱动车端对具有“三高优势”碳化硅 2022年12月6日 反应烧结碳化硅工艺是一种近净尺寸烧结工艺，在烧结过程中几乎没有收缩及尺寸变化，具有烧结温度低、产品结构致密、生产成本低等优点，适合制备大尺寸复杂形状碳化硅陶瓷制品。 但不足之处是坯体前期制备工艺过于复杂，以及所产出的副产物存在污染 为什么选择无压烧结制备SiC陶瓷？ 知乎
功率半导体碳化硅（SiC）技术 知乎
2020年6月27日 吴建明wujianming AI芯片，自动驾驶与计算机视觉专家 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以较大限度地提高当今电力系统的效率，同时降低其尺寸、重量和成本。 但碳化硅溶液并不是硅 2023年5月30日 进一步划分为材料制备相关及生产工艺相关。除与已有产品相关的核心技术外，公司已为新产品的研发积累了丰富的技术基础。 （1）汽车空调压缩机零部件相关核心技术 序号 应用环节 技术名称 技术概况及先进性体现 所处阶段 技术来源 1 材料制备上市保荐书
天岳先进：专注碳化硅衬底材料领域 成为先进的半导体材料
2021年12月31日 原标题：天岳先进：专注碳化硅衬底材料领域 成为先进的半导体材料供应商 来源：上海证券报 天岳先进：专注碳化硅衬底材料领域成为先进的半导体材料供应商 ――山东天岳先进科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市网上投资者交流会精彩 2023年4月11日 晶升股份立业当代，专业化从事晶体生长设备的研发、生产和销售。 自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开 晶升股份：自主创新研发先行 力争成为半导体级晶体生长设备
露笑科技跨界“豪赌”碳化硅，价值数亿的工厂已建成，谁持
2021年12月3日 此前多次跨界失败的露笑科技（，SZ），这一次也看上了第三代半导体，它要试一试碳化硅衬底。 自2020年8月与合肥长丰县签订战略合作协议后 2020年1月14日 2019年3月20日,苏州维特莱恩科技集团有限公司联合德国WTI集团和苏州优晶光电科技有限公司,在上海东郊宾馆举办“首台套大尺寸电阻法碳化硅设备创新发布会”,正式发布该公司大尺寸电阻法碳化硅单晶生长设备及工艺。 俄罗斯圣彼得堡国立电子科技大学 苏州维特莱恩“首台套大尺寸电阻法碳化硅设备”震撼发布技术
国内碳化硅半导体企业大盘点 知乎
2020年4月5日 国内碳化硅半导体产业链代表企业 衬底企业 天科合达 北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。2021年8月17日 复杂的制造工艺流程和更高的原材料、技术要求提高了第三代半导体的量产难度，进一步抬高了成本。 与硅器件相比，碳化硅、氮化镓在价格上仍然 蓝海 or 红海？警惕第三代半导体未来的价格战碳化硅半导体
关于碳化硅，不可不知的10件事！ 知乎
2022年10月15日 基于SiC的先进性，瑞森半导体提前进入SiC领域，进过多年的研发，目前已形成SiC SBD、SiC MOS管两大系列产品，其中SiC SBD已经批量生产并持续供应客户。碳化硅有哪些应用领域？碳化硅是一种非常适合电力应用的半导体，这主要归功于它能够承受高2020年9月21日 随着5G市场对碳化硅基氮化镓器件需求的增长，半绝缘型碳化硅晶片的需求量也将大幅增长。 数据来源：Yole Development、天科合达招股书 中商产业研究院特整理第三代半导体材料碳化硅概念股相关企业名单如下： 资料来源：中商产业研究院整理第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析器件
碳化硅陶瓷膜研发及应用武汉工程大学知识产权运营中心
2019年11月18日 武汉工程大学碳化硅膜研发团队现拥有一个省级科研平台——湖北省环境材料与膜技术工程技术研究中心，团队研究方向稳定，团队近年来一直聚焦在高通量碳化硅陶瓷膜研发及应用领域。 拟继续围绕碳化硅膜新产品开发深入开展后续研究工作及生产工艺优 2021年10月22日 今年6月22日，蔚来ET7的首台180kW碳化硅电驱系统C样件在南京先进制造技术中心正式下线。这套属于蔚来第二代电驱平台的电驱系统标志着碳化硅电驱产品已经完成了所有关键技术的开发和工程验证工作，即将于2022年交付的蔚来ET7就会率先搭载这 碳化硅＋EDS加持，蔚来给ET7的电驱系统搞了什么黑科技
6项3D打印相关方向上榜，国家发改委公布《产业结构调整
2023年7月22日 为深入贯彻有关精神，适应产业发展新形势新任务新要求，加快建设现代化产业体系，国家发展改革委会同相关部门修订形成了《产业结构调整指导目录（2023 年本，征求意见稿）》（以下简称“《目录》”）。《目录》由鼓励、限制和淘汰三大类组成，在三类之外且符合国家有关法律、法规和政策 2012年8月31日 条 为了加强农业技术推广工作，促使农业科研成果和实用技术尽快应用于农业生产，增强科技支撑保障能力，促进农业和农村经济可持续发展，实现农业现代化，制定本法。 （八）其他农业技术。 本法所称农业技术推广，是指通过试验、示范、培训 中华人民共和国农业技术推广法
碳化硅器件及其发展现状电压
2021年1月28日 碳化硅半导体的优异性能使得基于碳化硅的电力电子器件与硅器件相比具有以下突出的优点： （1）具有更低的导通电阻。 在低击穿电压 (约50V)下，碳化硅器件的比导通电阻仅有112uΩ，是硅同类器件的约1/100。 在高击穿电压 (约5kV)下，比导通电阻提高 2019年8月9日 2017年全球功率半导体器件市场结构 资料来源：Yole、IHS、Gartner 为了满足越来越高的指标要求，功率半导体器件不断地进行着技术的演进，除了更改器件结构、缩短线宽制程、加大集成调整，采用 SiC碳化硅：功率半导体器件行业新战场 知乎
外资大扩本土“朋友圈”，碳化硅长约签不停 腾讯网
2023年6月27日 湖南三安董事长林志东就认为，国际巨头在前沿碳化硅领域不断拓展中国供应链“朋友圈”，这与消费电子厂商纳入“苹果产业链”体系有异曲同工之处。 “在碳化硅半导体产业发展中，国际巨头与国内企业合作 2023年4月26日 生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。2023年3月24日 中瓷电子研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高成长赛道 1 中瓷电子：国内高端电子陶瓷领先者 11 国内电子陶瓷外壳领先者，背靠重点十三所技术优势显著 公司成立于 2009 年，主营业务是电子陶瓷系列产品的研发、生产和销售。 2010 年， 公司 中瓷电子研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高成长赛道
SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇
2023年9月15日 碳化硅器件产业链主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节。从工艺流程上看，首先由碳化硅粉末通过长晶形成晶碇，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底；衬底经过外延生长得到外延片；外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。2020年2月5日 据悉，该实验室根据产品市场前景、技术的先进性与成熟性选择了升华法和高温化学气相沉积法两种长晶技术作为研发方向，快速掌握了高品质、大规格碳化硅长晶工艺技术及其装备。 在刚刚过去的2019年，中科钢研第三代半导体布局也取得一些进展。抢占第三代半导体风口，中科钢研加速碳化硅布局技术
晶升股份研究报告：碳化硅和半导体级单晶炉领先者 知乎
2023年5月19日 14、IPO募投加码研发和扩产，应对国内半导体产业蓬勃发展 IPO 募投项目大幅增加产能，为后续业绩增长奠定基础。随着我国半导体产业的快速 发展，为满足下游客户及终端市场对公司技术及产能不断提出的更高要求，结合自身的未 来发展规划，公司拟募集 476 亿用于建设集经营办公和新产品技术 2023年11月14日 三、先进陶瓷材料的介绍 1、碳化硅 碳化硅陶瓷（厂家 致好精密陶瓷） 碳化硅（SiC）是我国最早开发的先进陶瓷材料之一。它极其坚硬，具有高导热性和低热膨胀性。SiC自20世纪60年代起在中国开始大规模生产。主要创新包括大型合成碳化硅晶体 我国先进陶瓷材料的介绍与发展 知乎
三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用